掺稀土元素的Ⅲ—Ⅴ族半导体
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2聂秋华.掺稀土元素光纤激光器和放大器综述(中)[J].宁波工程学院学报,1997,13(2):13-25.
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3聂秋华.掺稀土元素光纤激光和放大器综述(下)[J].宁波工程学院学报,1998,14(2):1-16.
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4拥有自主知识产权的1000瓦光纤激光器在西安诞生[J].稀土信息,2012,18(6):26-26.
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5杨遇春.半导体技术的新领域──掺稀土元素半导体材料[J].半导体技术,1996,12(6):20-22.
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6陈辰嘉,王学忠,周必忠,陈世帛,雷红兵,李仪,李菊生,BottazziP.Er离子注入GaP,GaAs,InP的二次离子质谱(SIMS)的研究[J].发光快报,1994,15(1):71-73.
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71000W光纤激光器日前在西安诞生[J].稀土,2012,33(4):53-53.
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8卢文杰,陈淑芬.掺稀土元素 Er^(3+) 的 LiNbO_3 波导激光器设计[J].大连理工大学学报,1997,37(S2):52-52.
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9聂秋华.掺稀土元素光纤激光器和放大器综述(上)[J].宁波工程学院学报,1997,13(1):18-25. 被引量：3
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10李春鸿.掺稀土光纤及其制作方法[J].材料科学与工程,1992,10(1):22-25.
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