精密材料工程助力实现3D NAND结构推动半导体行业新发展
摘要
1开发3D NAND结构
由于2D(x-y dimension)半导体元件的尺寸已经接近极限,3D(z dimension)半导体能够经由精密材料工程进一步实现小型化。3D技术有望为企业节约成本,因为它能够使元件实现更高的位密度,这正是对半导体内存提出的基本要求之一。
出处
《中国集成电路》
2014年第5期28-29,39,共3页
China lntegrated Circuit
参考文献4
-
1H. Tanaka, et al., "Bit Cost Sealable Teehnolo~ with Punch and Plug Process for Ultra High Density Flash Memory,VLSI, 14, 2007.
-
2R. Katsumata, et al., "Pipe-Shaped BiCS Flash Memory with 16 Slacked Layers and Multi- Level-Cell Operation for Ulira High Density Storage Devices," VI,SI, 136, 2009.
-
3J. Jang, et al., "Vertical Cell Array Using TCAT ( Terabit Cell Array Transistor)Technology for Ultra High Density NAND Flash Memory.," VLSI, 192, 2009.
-
4S. J. Whang, et al., "Novel 3-Dimensional Dual Conlrol-Gate wilh Surrounding Floating-Gate (DC -SF ) NAND Flash Cell for ITh File Storage Applica- tion," IEDM, 29.7.1, 2010.
-
1刘江龙,邹至荣.激光技术在材料工程中的新应用[J].材料导报,1990,4(3):19-21.
-
2Geoff Irvine.电子材料方面的协作和多样化日趋重要[J].集成电路应用,2009(10):39-41.
-
3《中国材料工程大典·信息功能材料工程》出版[J].电子元件与材料,2006,25(1):68-68.
-
4迎九.半导体制造的工艺与材料发展趋势[J].电子产品世界,2016,23(12):6-7.
-
5北京有色研究总院拉制出直径200mm的硅单晶[J].有色冶金节能,1996,0(1):38-38.
-
6白超.宽禁带Ⅱ-VI族材料生长及其对器件的影响[J].液晶与显示,1989,9(Z1):25-29.
-
7应用材料公司推出15年来在互连科技中最大的材料变革[J].集成电路应用,2014(6):33-33.
-
8平尔萱.3D NAND结构的纳米芯片技术[J].集成电路应用,2014,0(12):24-25. 被引量:1
-
9超快激光技术解决微米制造中的热量问题[J].电子电路与贴装,2011(5):13-14.
-
10常爱民,李言荣.微波处理技术在材料科学工程中的应用[J].物理与工程,2002,12(1):36-40. 被引量:5