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用纳米WO_3制作NO_x气敏元件 被引量:17

Preparation of NO_x gas sensitive device by WO_3 nanoisized material
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摘要 在主体材料WO3中掺入适量的SiO2可制得平均粒径为37 nm的敏感材料,用该 材料制作的气敏元件对NOx具有较高的灵敏度和较好的选择性,响应/恢复时间较快. The gas sensing materials with average grain size of 37 nm was made by adding proper SiO2 to WO3. The gas sensor made by the above materials has high gas sensitivity to NOx and good selectivity, it responses and recovers quic kly.
出处 《郑州轻工业学院学报》 CAS 2000年第4期49-51,共3页 Journal of Zhengzhou Institute of Light Industry(Natural Science)
关键词 气敏器件 氧化氮 氧化钨 纳米材料 gas sensitive devices nitrogen oxide tungsten oxide nanoisized materiP
  • 相关文献

参考文献5

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二级参考文献6

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共引文献30

同被引文献56

引证文献17

二级引证文献55

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