摘要
用 1 46 8 0MeV4HeD+ 在超薄无衬碳膜中的Coulomb爆炸 ,获得4HeD+ 的键长实测值为 (0 0 97± 0 0 0 3)nm .讨论了4HeD+ 的形成机理 .介绍了 4HeD+ 原始束中D+ 3 污染的降低 ,及产物4He+ + 和D+ 高分辨能谱测量中的粒子鉴别方法等 .
出处
《中国科学(A辑)》
CSCD
2000年第12期1124-1129,共6页
Science in China(Series A)
基金
国家自然科学基金!(批准号 :19735 0 0 4
195 75 0 33)
国家教育部重点科技项目基金!(批准号 :1997[12 9])资助项目