摘要
在808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25\mm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区,以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值。常规条宽100\mm,含有19个发光单元的1cm列阵激光器的COD阈值功率为30W,而带有腔面非注入区的器件的最大输出功率达到了42.7W,没有发生失效。
After He ion implantation, p-GaAs will obtain higher resistivity than before. To improve the catastrophic optical damage （COD） level of 808 nm GaAs/AIGaAs laser diode bar, about 25 μm-long current non-injection areas are introduced near both facets by He ion implantation. The COD level of a conventional 1 cm laser diode bar with 19 emitters is 30W, while the He ion implantation 1 cm laser diode bar exhibits no COD failure at 42.7 W.
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2013年第11期142-144,共3页
Laser & Optoelectronics Progress
基金
北京市教委与在京中央高校共建项目
中国政法大学青年教师创新团队资助项目
证据科学教育部重点实验室(中国政法大学)开放基金(2011KFKT04
2012KFKT08)
