PTC热敏电阻运用动态
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1张昌璇,解光军.一种全MOS管结构低压低功耗电压基准源的设计[J].现代电子技术,2008,31(1):156-158.
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2齐一伟.漏电阻呈现正温度特性的三极管检修奇遇[J].家电维修,2006(1):46-46.
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3SUSS开发出支持300mm晶圆的三维封装用测试系统[J].中国集成电路,2009,18(10):9-9.
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4王磊,王为民.用模糊控制缩短温度测量中时延的研究[J].西北工业大学学报,1995,13(2):276-280. 被引量：2
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5王会杰,王春华,何海珍,李湛.一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源[J].微电子学,2011,41(5):654-657. 被引量：7
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6Uma Khachar,P.S.Solanki,R.J.Choudhary,D.M.Phase,D.G.Kuberkar.Positive MR and Large Temperature—Field Sensitivity in Manganite Based Heterostructures[J].Journal of Materials Science & Technology,2013,29(10):989-994. 被引量：1
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7许育森,胡炜.一种新型全CMOS低功耗基准电源的设计[J].微电子学,2013,43(6):742-746. 被引量：6
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8王慧丽,冯全源.带工艺修调的低温漂片内振荡器设计[J].电子技术应用,2016,42(9):44-46. 被引量：2
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9方圆,周凤星,张涛,张迪.一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源[J].电子设计工程,2012,20(24):139-142.
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10高静,姚素英,许长喜.一种高精度的CMOS电流基准[J].南开大学学报（自然科学版）,2008,41(2):56-60.
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