氧化锌压敏电阻的C—V特性及添加物的作用
-
1黄卓和.晶界层电容器的C-V特性[J].压电与声光,1990,12(4):29-32.
-
2吴小清,任巍,张良莹,姚熹.镧钛酸铅铁电薄膜的性能与热处理工艺的关系[J].压电与声光,1997,19(6):409-414. 被引量:4
-
3苏学军,李岩.快速退火工艺对钛酸铋薄膜电学性能影响的研究[J].兵器材料科学与工程,2002,25(1):35-37.
-
4李兴教,赵建洪,安承武,李再光,李少平.准分子激光制备多层铁电薄膜的C-V特性研究[J].压电与声光,1997,19(2):112-115. 被引量:3
-
5王华.Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与特性研究[J].物理学报,2004,53(4):1265-1270. 被引量:14
-
6成鹏飞,王玉平,于长丰.ZnO压敏陶瓷势垒高度的测量及其应用[J].电瓷避雷器,2010(5):29-32. 被引量:3
-
7于军,董晓敏,赵建洪,周文利,谢基凡,郑远开,刘刚.MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响[J].无机材料学报,1999,14(4):613-617. 被引量:5
-
8葛水兵,宁兆元.BaTiO_3/SrTiO_3多层膜的制备及其介电性质[J].功能材料,2004,35(6):711-712.
-
9张亚军,王乐,祖帅,钟传杰.PMMA分子量对其电学特性的影响[J].功能材料与器件学报,2012,18(2):116-121. 被引量:2
-
10葛水兵.化学计量对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜介电性能的影响[J].苏州大学学报(自然科学版),2005,21(4):58-61.
;