摘要
半导体高压器件设计、制造技术的新发展使得高压、功率集成电路的实现成为可能.最近新出现的所谓“智能功率集成电路”便是一例.它集逻辑控制、功率驱动和诊断电路于一同一芯片,充分显示了这一领域的飞速发展.在这些高压、功率集成电路中,所采用的隔离技术多致力于更高的承受电压和功率密度.就目前的隔离技术而论,大致可以分为二类.一是PN结隔离技术(JI),另一种为介质隔离技术(DI).目前已有耐压为500伏和600伏通过PN结隔离和介质隔离技术实现的集成电路研制成功.
This paper prcaemls a new isolation method for High-Voltage IC's based on the recently developed silicon wafer Direct Bonding (SDB) technology . A HV PMOS devices with 100V breakdown voltage was successfully made on SIS/SDB substrates , showing this method a convenient and effective way for the Dielectric Isloation .
出处
《电子器件》
CAS
1991年第2期67-71,共5页
Chinese Journal of Electron Devices
