华为将在武汉投资1．55亿元生产光器件

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摘要华为将在武汉设立铟磷实验室，并于下月投入使用。据悉，华为铟磷实验室将研发全球领先的芯片及光接发器等。作为一种新型半导体材料，磷化铟具有速度高、耐辐射性能好、导热好的优点。华为备案的环评信息显示，后期，还将在武汉未来科技城新建光接收器和光发射器生产线各一条，年产光接发器共24万件，项目总投资1．55亿元。

出处《中国光学》 EI CAS 2013年第4期613-613,共1页 Chinese Optics

关键词项目总投资生产线华为武汉光器件半导体材料磷化铟耐辐射性能

分类号 TN929.533 [电子电信—通信与信息系统]

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