高压大电流晶闸管电流上升率不重复值的计算
被引量:2
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1991年第4期40-44,共5页
Power Electronics
同被引文献29
-
1王晓彬,王培清,张斌.阴极图形对高频晶闸管di/dt的影响[J].电力电子技术,1996,30(4):97-99. 被引量:4
-
2西安整流器研究所快速可控硅元件研究组.快速可控硅整流元件动态特性的设计考虑[J].变流技术动态,1974.3-4.
-
3张继贵,李可儿.大功率晶闸管阴极面图形研究[J].株洲电力机车研究所,1979年.
-
4[德国]W.格尔拉赫,卞抗译.晶闸管[M].机械工业出版社,1984.
-
5国际标准:IEC60747-6:2000.12第六部分:晶闸管17.
-
6[美国]S.K.Ghandhi,张光华,钟士谦译.功率半导体器件-工作原理和制造工艺[M].北京:机械工业出版社,1982.
-
7[英国]P.D.TAYLOR,庞银锁译,顾廉楚审校.晶闸管的设计与制造[M].北京:中国铁道出版社,1992.76-77.
-
8[日本]松浄別格.電力用高速サイリスタにおけるエシツタ短絡效果[J].日本也九学会合え志53-C4 1978.1.
-
9蓝小平.快速晶闸管动态参数的优化设计[J].电力电子技术.1987.
-
10孟繁栋.晶闸管动态参数测试[J].电力电子技术,1981.1.
二级引证文献2
-
1杨勇,王文杰,刘亚萍,谢晔源,杨兵,陈羽.基于大规模风、光并网外送需求的高压直流混合式直流断路器研究[J].可再生能源,2021,39(2):237-244. 被引量:2
-
2张晓,张冠祥,鲁军勇,戴宇峰,武文轩.脉冲工况晶闸管扩展速度的影响因素研究[J].国防科技大学学报,2022,44(2):96-103. 被引量:1
-
1赵谷泉.晶闸管的几种实用保护电路[J].电工技术,1994(12):17-18.
-
2李永红,韩冰冰,刘朋.脉冲晶闸管[J].电源世界,2008(8):70-71. 被引量:2
-
3李永红,韩冰冰,彭加成,李漫.晶闸管的开通特性[J].电源世界,2010(5):34-36. 被引量:3
-
4裴素华,薛成山,赵善麒.一种改善快速晶闸管 dv/dt、di/dt 耐量的方法[J].电力电子技术,1997,31(3):82-84. 被引量:2
-
5孙瑞泽,陈万军,彭朝飞,阮建新,张波.一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化[J].电子与封装,2014,14(7):29-33.
-
6徐长军,王峰,苏艳岩,张西华.双向可控硅的设计及应用[J].电子产品世界,2008,15(12):33-35. 被引量:9
-
7田素娟.晶闸管的过电流保护方案及电流上升率的限制方法[J].电子世界,2016,0(8):85-85. 被引量:1
-
8问:场效应管的驱动电路有什么特点?[J].家电检修技术,2007(1):71-71.
-
9王富珍,王彩琳.晶闸管di/dt失效分析[J].电力电子技术,2007,41(12):129-130. 被引量:7
-
10郭素萍,居大鹏.可控硅dIT/dt测试线路的设计与测量[J].电子产品世界,2012,19(8):41-42.
;