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高压浮动MOS栅极驱动器

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摘要当功率MOSFET或IGBT用作高压侧开关时,对它的驱动有严格要求,当前有几种技术可用来实现这种功能。本文主要介绍电压自举法的特点、典型电路、参数选择及应用。

作者李晶王凌峰黎鹏飞

机构地区中国船舶重工集团公司第七一二所

出处《船电技术》 2000年第3期33-40,共8页 Marine Electric & Electronic Engineering

关键词高压侧开关电平转换器栅极驱动器瞬间反压

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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船电技术

2000年第3期

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