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GIS在快速暂态过电压下的放电特性 被引量:30

DISCHARGE CHARACTERISTICS OF GIS UNDER VERY FAST TRANSIENT OVERVOLTAGE
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摘要 SF6气体绝缘开关装置 (GIS)中的隔离开关在操作时产生的快速暂态过电压 (VFTO) ,会造成 GIS的绝缘击穿事故。对 VFTO作用下的 GIS击穿特性进行了研究 ,同时通过光电检测的方法研究了雷电冲击和快速振荡冲击电压作用下的预放电特性。实验结果表明 ,由金属导电微粒所导致的绝缘子表面电荷积聚是造成 Insulation failure inside or outside GIS can be caused by very fast transient overvoltage (VFTO) generated during operating disconnectors in GIS. Hence, the breakdown characteristics of GIS stressed by VFTO are studied,and the photo\|electronic measurements are carried out to investigate the discharge behavior stressed by VFTO or LI. The test results show that the space charge accumulation produced by corona discharge of the metal particle on the spacer is the main reason causing the insulation failure of GIS.
出处 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2000年第9期1-4,共4页 Power System Technology
基金 国家自然科学基金资助项目! ( 5980 70 0 6)
关键词 GIS 快速暂态过电压 放电特性 SF6间隙 SF 6 gap spacer VFTO discharge characteristics GIS
  • 相关文献

参考文献4

  • 1王中方.快速振荡冲击电压下SF6气体间隙及绝缘子沿面放电特性[M].西安:西安交通大学,1999..
  • 2张乔根.陡波前冲击电压下SF6气体间隙及绝缘子沿面放电特性[M].西安:西安交通大学,1996..
  • 3邱毓昌,GIS装置及其绝缘技术,1994年
  • 4陈成杰,光电倍增管,1988年

同被引文献246

引证文献30

二级引证文献252

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