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功率器件生产过程中对硅片电阻率下滑的补偿
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摘要
用于制造功率器件的中子辐照区熔硅片 ,在经过 12 50℃、 4 0 h高温扩硼后 ,硅片体内电阻率下滑。本文通过实验表明了高温退火后硅片的冷却速率及硅片的厚度对电阻率的影响非常明显。并且介绍了将高温退火电阻率下降的硅片通过低温退火工艺对其进行电阻率补偿的方法。
作者
梁秀红
鞠玉林
机构地区
河北工业大学材料研究中心
出处
《海洋技术》
2000年第3期71-73,共3页
Ocean Technology
关键词
电阻率
补偿
功率器件
硅片
分类号
TN73 [电子电信—电路与系统]
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