期刊文献+

MOSFET1/f噪声相似性的子波鉴别方法 被引量:2

Wavelet Approach to Identify the Similarity of 1/ f Noises in MOSFETs
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 基于傅里叶分析的功率谱密度只能反映 1/f噪声的整体频率特性 ,子波变换模极大值能够反映 1/f噪声的奇异性和非规整性 ,而后者才是 1/f噪声最本质的特征所在 .本文将这一特性用于MOSFET 1/f噪声的相似性分析 .从子波变换模极大值匹配原理出发 ,定义了一个 1/f噪声的相似系数 ,利用它对不同形成机制、不同微观缺陷状态、不同偏置应力作用下的MOSFET 1/f噪声进行了相似性分析 ,发现它可作为鉴别 1/f噪声的物理起源 ,分析 1/f噪声的微观动力学机制 。 The power spectrum on Fourier transform is only a description of overall regularity of 1/ f noise,while the maxima of wavelet transform modulus can well measure local singularity and irregular structure in 1/ f noise.This is used to analyze the similarity of 1/ f noises in MOSFETs in this paper.Based on the matched maxima of wavelet transform modulus,a similarity coefficient is defined.Using the approach,the similarities of 1/ f noises in MOSFETs concerning different generation mechanisms,microscopic defects,and bias stresses are examined.It is shown that it can be used as an effective tool to identify the physical origin and microscopic dynamics of 1/ f noise,and also to screen the defective or damaged MOS devices.
出处 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期137-139,105,共4页 Acta Electronica Sinica
基金 国家自然科学基金! (No .69671 0 0 0 3) 陕西省自然科学基金! (No.98x0 5)
关键词 1/f噪声 子波变换 MOSFET 场效应管 f noise wavelet transform similarity MOSFET
  • 相关文献

参考文献1

  • 1Mallat S,IEEE Trans Information Theory,1992年,38卷,2期,617页

同被引文献16

  • 1包军林,庄奕琪,杜磊,李伟华.基于虚拟仪器的电子器件低频噪声测试分析系统[J].仪器仪表学报,2004,25(z1):351-353. 被引量:23
  • 2杜磊,电子学报,2000年,28卷,11期,149页
  • 3Xu P,J Appl Phys,1999年,86卷,9期,5203页
  • 4Rios P D L,Phys Rev Lett,1999年,82卷,3期,472页
  • 5Du Lei,Proc Noisein Physical Systems and 1/f Noise,1999年,104页
  • 6Mallat S,IEEE Transactions Information Theory,1992年,38卷,2期,617页
  • 7Simoen E,Claeys C.Reliability Aspects of the Low-Frequency Noise Behaviour of Submicron CMOS Technologies[J].Applied Physics,1999,14(8):61-71.
  • 8Rios P D L,Zhang Y.Universal 1/f Noise from Dissipative Self-Organized Criticality Models[J].Physical Review Letters,1999,82(3):472-475.
  • 9Kirton M J,Uren M J.Noise in Solid-State Microstructures:A New Perspective on Individual Defects,Interface States and Low-Frequency (1/f) noise[J].Advances in Physics,1989,38(4):367-468.
  • 10Mihaila M,Amberiadis K.Noise Phenomena Associated with Dislocations in Bipolar Transistors.Solid-State Electron.[J].1983,26(2):109-113.

引证文献2

二级引证文献6

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部