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SiGe异质洁双极晶体管促进测量仪器的发展
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摘要
晶体管自1949年发明后,主要材料用锗(Ge),Ge材料的温度性能不够好,击穿电压较低,于是转向使用硅(Si)材料,Si晶体管和Si集成电路发展顺利,目前仍然是最重要的材料。Si非常适于数字集成电路和低频高压晶体管,可惜很难达到1GHz以上的频率,这时砷化镓(GaAs)材料开发成功,出现集成数字电路用Si,模拟高频器件用GaAs的局面,Si和GaAs都突破1GHz的限制。
作者
南文
出处
《电子测试》
2000年第11期207-209,共3页
Electronic Test
关键词
SIGE
异质洁双极晶体管
自动测量仪器
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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