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SiGe异质洁双极晶体管促进测量仪器的发展

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摘要 晶体管自1949年发明后,主要材料用锗(Ge),Ge材料的温度性能不够好,击穿电压较低,于是转向使用硅(Si)材料,Si晶体管和Si集成电路发展顺利,目前仍然是最重要的材料。Si非常适于数字集成电路和低频高压晶体管,可惜很难达到1GHz以上的频率,这时砷化镓(GaAs)材料开发成功,出现集成数字电路用Si,模拟高频器件用GaAs的局面,Si和GaAs都突破1GHz的限制。
作者 南文
出处 《电子测试》 2000年第11期207-209,共3页 Electronic Test
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