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ISFET的新突破—BSC-ISFET初探被引量：1

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摘要 BSC-ISFET(Back-Side Contacted ISFEI)即背面引线离子敏感器件是化学传感器的又一突破。本文重点介绍其基本结构和工艺特点,并简述其发展概况。

作者谢会开

机构地区北京理工大学电子工程系

出处《传感器技术》 CSCD 1991年第4期33-34,20,共3页 Journal of Transducer Technology

关键词敏感器件化学传感器 BSC-ISFET

分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]

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传感器技术

1991年第4期

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