期刊导航
期刊开放获取
vip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
苏州纳米技术与纳米仿生研究所利用爱思强系统助力氮化物半导体研究
在线阅读
下载PDF
职称材料
导出
摘要
德国爱思强股份有限公司10月31日宣布,中国苏州纳米技术与纳米仿生研究所订购了两套爱思强的近耦合喷淋头技术(CCS)系统,以拓展该中心的氮化物半导体研究。订单于2012年第三季度接获,计划将于2012年第四季度和2013年第一季度完成交付。
出处
《现代显示》
2012年第11期62-62,共1页
Advanced Display
关键词
氮化物半导体
纳米技术
研究所
系统
仿生
苏州
利用
喷淋头
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
倪兰.
思博伦看好融合网络测试机遇[J]
.通信世界,2010(24):36-36.
2
旭化成株式会社订购爱思强系统用于研发新一代设备[J]
.现代显示,2012(11):60-60.
3
胡晓宇,彭志虹,何华云,王慧勇.
MOCVD喷淋头的焊接工艺研究[J]
.金属加工(热加工),2008(1):42-44.
4
Thrush E J,Kappers M,Considine L,Mullins J T,Saywell V,Bentham F C,Sharma N,Humphreys C J.
Close Coupled Showerhead Reactors for the Growth of Group Ⅲ Nitrides[J]
.发光学报,2001,22(Z1):103-106.
5
Mary.
中科院研制出首个硅衬底氮化镓基激光器[J]
.今日电子,2016,0(10):25-25.
6
新华.
中科院苏州纳米所增强型GaN HEMT器件研究获进展[J]
.军民两用技术与产品,2017,0(5):26-26.
7
Alexlux.
用蓝光感受第85届奥斯卡金像奖获奖作品[J]
.家庭影院技术,2013(4):106-113.
8
柯昀洁,梁红伟,申人升,宋世巍,夏晓川,柳阳,张克雄,杜国同.
喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响[J]
.发光学报,2013,34(4):469-473.
被引量:1
9
中科院LED芯片研究团队为海南企业献策[J]
.中国集成电路,2012(8):4-4.
10
我国GaN器件核应用研究取得系列成果[J]
.军民两用技术与产品,2011(11):33-33.
现代显示
2012年 第11期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部