同被引文献35
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1李发宁,张鹤鸣,戴显英,朱国良,吕懿.宽禁带半导体金刚石[J].电子科技,2004,17(7):43-49. 被引量：9
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2杨国伟,游建强.C_（70）作为金刚石薄膜成核区的理论模型[J].人工晶体学报,1995,24(2):150-156. 被引量：8
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3冯钟潮,张炳春,赵岩,王亚庆.激光低温沉积金刚石膜[J].材料研究学报,1996,10(5):521-524. 被引量：4
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4刘德义,黄荣芳,于杰,闻立时,师昌绪.热丝法化学气相沉积大面积金刚石膜中辐射场和温度场的尺寸效应[J].材料研究学报,1996,10(3):279-284. 被引量：5
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5杨国伟 毛友德.非金刚石基底生长金刚石薄膜过渡层存在机理研究[J].高压物理学报,1995,9(1):74-80.
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6张晓平.金刚石膜与Si衬底向过渡层的结构稳定性[J].物理学报,1993,(2):17-17.
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7张晓平，物理学报，1993年，2期，17页
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8郑昌琼，功能材料，1992年，2期，45页
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9Chow Lee，Appl Phys Lett，1995年，66卷，4期，430页
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引证文献8
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4肖金龙.CVD金刚石薄膜紫外光探测器研究[J].光电子技术,2001,21(2):116-119. 被引量：1
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7王嘉铭,徐向前,刘瑞,吴观斌,钮应喜,李永平,王方方,吴昊.金刚石在未来电网中的应用展望[J].微纳电子技术,2017,54(3):150-156. 被引量：4
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二级引证文献24
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3卢文壮,左敦稳,王珉,黎向锋,徐锋.Cr过渡层沉积粘附型CVD金刚石膜的机理研究[J].中国机械工程,2004,15(18):1676-1680. 被引量：5
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8黄美健,左敦稳,卢文壮,徐锋,张旭辉.CVD金刚石涂层拉丝模温度场数值分析[J].机械制造与自动化,2012,41(2):24-27.
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1肖金龙.CVD金刚石薄膜紫外光探测器研究[J].光电子技术,2001,21(2):116-119. 被引量：1
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3程强,王颖蕾,陈希明,付长风,李杰.硼掺杂对金刚石薄膜载流子浓度的影响[J].天津理工大学学报,2009,25(6):65-67.
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5汪浩,朱鹤孙,沈明荣,宁兆元.CVD金刚石薄膜的成核机制[J].材料研究学报,1998,12(6):570-574. 被引量：6
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10张剑云,王鹏飞,丁士进,张卫,王季陶,刘志杰.C-H体系CVD金刚石薄膜取向生长的热力学分析[J].微细加工技术,2000(3):75-78. 被引量：1
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