优质GaAs/Si材料的研制

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摘要用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10^(16)cm^(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽225弧秒;低温光荧光谱半峰宽在10K时为5meV,外延层表面位错密度10~6cm^(-2)。

作者梁基本孔梅影段维新朱战萍谢茂海朱世荣曾一平张学渊

出处《半导体情报》 1991年第6期15-16,共2页 Semiconductor Information

基金中科院半导体所所长基金国家自然科学基金超晶格国家重点实验室资助

关键词分子束外延 GAAS/SI 异质结

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半导体情报

1991年第6期

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