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Ⅳ—Ⅵ族铅盐化合物的MBE生长及特性的研究

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摘要本文报道了Ⅳ—Ⅵ族铅盐化合物PbEuTe、PbEuSeTe薄膜、PbSnTe/PbTe,PbEuTe/PbTe起晶格、量子阱材料及PbEuSeTe双异质结材料的MBE生长。并对其进行了光、电特性的研究。

作者陈伟立史智胜宋航付义

机构地区中国科学院长春物理所

出处《半导体情报》 1991年第6期28-31,共4页 Semiconductor Information

关键词化合物半导体外延生长铅监化合物

分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]

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半导体情报

1991年第6期

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