刻槽Si衬底上GaAs微结构研究

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摘要本文介绍在刻楷Si衬底上用分子束外延嵌入生长GaAs的异质共平面技术。用横截面透射电子显微镜对槽壁非平面异质结的生长行为和微结构进行了研究,结果表明:槽壁的几何因素对外延层的成核行为和生长行为有一定影响,和Si[001]晶面相比,Si[113]可能是一个有利于半导体异质结生长的晶面。

作者梁基本范缇文孔梅影

出处《半导体情报》 1991年第6期61-62,共2页 Semiconductor Information

基金中科院半导体所所长基金国家自然科学基金超晶格国家重点实验室资助

关键词分子束外延 GAAS 微结构刻槽

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半导体情报

1991年第6期

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