Ge/Si应变外延薄膜的表面再构

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摘要根据有相互作用结构件的概念,讨论了Ge/Si应变外延薄膜的表面再构,并对Ge_(0.5)Si_(0.5)合金上Si薄膜为5×5的结构,提出了一种可能解释。

作者刘惠周李哲吟

机构地区中山大学物理系

出处《半导体情报》 1991年第6期37-39,共3页 Semiconductor Information

关键词 GE/SI 外延生长薄膜表面再构

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半导体情报

1991年第6期

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