高反差i线CEL的亚半微米光刻

Sub-Halfmicron Lithograph Using a High Contrast i Line CEL

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摘要本文报道了一种新研制的无金属水溶性i线CEL及其成象特性。CEL的A、B、C参数分别为18μm^(-1),0.12μm^(-1)及0.09cm^2/mJ。使用CEL可使γ值从3增大到20,其图象的空间影象反差值可达0.4。这表明,通过大数值孔径透镜的i线刻蚀,有可能实现0.3μm微细加工。

作者 Toshihiko Tanaka 王育中

出处《半导体情报》 1991年第5期56-57,52,共3页 Semiconductor Information

关键词 VLIS 光刻亚半微米反差增强层

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半导体情报

1991年第5期

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