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用AlGaAs/GaAs HBT技术的9GHz带宽、8～20dB可控增益单片放大器

9 GHz Bandwidth, 8～20 dB Controllable-Gain Monolithic Amplifier Using AlGaAs/GaAs HBT Technology

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摘要应用AlGaAs/GaAs HBT技术,以单片形式开发了一种宽带、可控增益放大器。这种放大器采用一种新的并联反馈技术,它能提高带宽,并能控制增益使直流电压输出保持为常数。这种IC的带宽已达DC-9GHz,可控增益范围达到8～20dB,在电源电压为9V时,总的功率耗散为640mW。

作者 N.Ishihara 王柏年

出处《半导体情报》 1991年第3期57-58,56,共3页 Semiconductor Information

关键词单片放大器放大器 ALGAAS/GAAS

分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]

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半导体情报

1991年第3期

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