超亚微米栅AlGaAs/GaAs HEMT

Ultra-Submicrometer-Gate AlGaAs/GaAs HEMTs

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摘要在分子束外延生长的外延晶片上,用电子束刻蚀技术制作了超亚微米栅AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT),其栅长分布为25～85nm。该器件表明,速度过冲和短栅几何效应对栅长小于100nm的器件起着重要的作用。栅长为30nm的HEMT的最大本征跨导为215mS/mm,有效饱和电子速度可达3×10~7cm/s。

作者 Jaeheon Han 赵立芳

出处《半导体情报》 1991年第2期34-36,44,共4页 Semiconductor Information

关键词 ALGAAS GAAS HEMT 亚微米

分类号 TN322.2 [电子电信—物理电子学]

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