WT3DG系列宽温区晶体管——一种BSIT的改进型器件

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摘要利用BSIT电流放大系数具有负温度系数的特点,结合目前我国半导体工艺水平研制的改进型BSIT——WT3DG系列宽温区硅高频小功率晶体管,具有良好的电性能和温度特性。是工作在-65～200℃温度范围内电子仪器的理想器件。

作者董利民亢宝位

机构地区北京工业大学

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期24-27,共4页 Semiconductor Technology

关键词晶体管 BSIT 宽温区

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半导体技术

1991年第6期

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