X波段单片集成电路低噪声放大器的应用研究被引量：1

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摘要据《Semicon.NEWs》1989年第8期报道,日本三菱电机株式会社光微波器件研究所现已研制成在12GHz下噪声系数为1.58dB,增益29dB的世界最高性能的低噪声MMIC放大器.该放大器采用具有均匀性、重复性好的自对准多层金属栅结构超低噪声GaAs FET工艺,并使噪声和阻抗的匹配电路开始单片化.与以前采用凹槽型的GaAs FET放大器相比。

作者戴永胜

机构地区南京电子器件研究所

出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期406-406,共1页 Research & Progress of SSE

关键词 Ф波段单片集成电路低噪声放大器

分类号 TN722.3 [电子电信—电路与系统]

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1戴永胜.X波段低噪声FET放大器[J].固体电子学研究与进展,1987,8(1):84-85. 被引量：2
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固体电子学研究与进展

1990年第4期

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