期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

平面型磷化铟双极型晶体管被引量：1

下载PDF

导出

摘要本文提出并制成一种平面型InP双极型晶体管.其基区采用Zn扩散,发射区采用Si离子注入,结果表明晶体管的共发射极电流增益h_(FE)=20,器件可在很小电流下工作(I_C=1μA,h_(FE)=5).由于器件结构和工艺类似Si平面晶体管,预计它可广泛应用于InP高速电路和光电单片集成电路.

作者苏里曼

机构地区北京电子管厂

出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期119-120,共2页 Research & Progress of SSE

关键词平面型双极型晶体管磷化铟

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

同被引文献2

1张燕文,姬成周,李国辉.MeV Si^+注入SI-GaAs的激活能研究[J].固体电子学研究与进展,1993,13(3):205-209. 被引量：1
2苏里曼.双基区条准平面型InAlAs/InGaAs异质结双极型晶体管[J].固体电子学研究与进展,1991,11(4):286-290. 被引量：1

引证文献1

1姬成周,张燕文,李国辉,王文勋,苏里曼.两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质[J].固体电子学研究与进展,1995,15(3):281-286. 被引量：1

二级引证文献1

1李国辉,姬成周,刘伊犁,罗晏,韩德俊.GaAs中的离子注入技术[J].原子核物理评论,1997,14(3):177-180. 被引量：1

1易武秀.超高速半导体平面型光—光开关[J].光纤通信技术,1996(5):32-35. 被引量：1
2梁苏军,罗晋生.平面型高压Pn结终端技术（Ⅲ）[J].电力电子技术,1991(4):61-64.
3梁苏军,罗晋生.平面型高压Pn结终端技术（Ⅱ）[J].电力电子技术,1991(3):66-70.
4梁苏军,罗晋生.平面型高压Pn结终端技术（I）[J].电力电子技术,1991(2):71-73.
5王林.双极型半导体集成电路的可靠性设计[J].电子产品可靠性与环境试验,1996,14(5):32-37. 被引量：1
6高文焕.一种高性能双极型模拟开关[J].电视技术,1998(1):45-46. 被引量：1
7王绍华.部分普通双极型贴片三极管代码、型号、用途及主要参数一览表[J].家电维修（大众版）,2011(8):60-62.
8陈卫东,郑茳,孟江生,魏同立.一种能在77K下工作的双极型晶体管[J].固体电子学研究与进展,1990,10(1):117-118.
9章其麟,任永一.MOCVD法在InP上生长GaAs及其在器件中的应用[J].上海半导体,1994(1):15-18.
10屠海令.半导体材料稀土掺杂的理论及应用[J].稀有金属,1996,20(1):39-44. 被引量：1

固体电子学研究与进展

1990年第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部