2000年(及以后)硅拉晶工艺
出处
《现代材料动态》
2000年第6期3-4,共2页
Information of Advanced Materials
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1邓志杰.GaAs单晶生长综述[J].现代材料动态,2000(2):1-2. 被引量:1
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2岳木林.汽车电子BCI法与空间辐射法等效性研究[J].环境技术,2016,34(3):9-12. 被引量:1
-
3岳木林.ISO 11452-4:2011与ISO 11452-4:2005测试差异研究[J].环境技术,2012,30(6):30-33. 被引量:1
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4叶祖超,陆荣.密闭热系统中拉制硅单晶[J].上海有色金属,1998,19(3):102-105.
-
5张果虎,常青,方锋,吴志强,周旗钢.Φ200mm硅单晶的生长工艺特点[J].稀有金属,1998,22(1):67-68. 被引量:1
-
6王丽,汪贺杏,冯磊.拉晶工艺中直拉硅单晶氧含量的优化研究[J].太阳能,2010(11):41-43.
-
7冯德伸,李楠,苏小平,杨海,闵振东.4英寸低位错锗单晶生长[J].稀有金属,2008,32(1):34-37. 被引量:12
-
8马欣,马骕,刘思嘉.ISO 11452-4:2011中TWC法与BCI法的比对研究[J].安全与电磁兼容,2014(2):27-29. 被引量:2
-
9石文方.国外晶体元件标准测试方法简介[J].航天标准化,1994,0(5):45-47.
-
10张继荣,殷海丰,佟丽英,刘锋,赵光军.n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制[J].半导体技术,2004,29(9):74-76. 被引量:1
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