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宏力半导体宣布成功建立国内首个0.18μm

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摘要上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”），专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功建立国内首个0．18μm“超低漏电”（Ultra—Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存工艺平台。

出处《电子工业专用设备》 2012年第7期58-58,共1页 Equipment for Electronic Products Manufacturing

关键词半导体制造国内宏嵌入式闪存差异化漏电

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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电子工业专用设备

2012年第7期

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