纳米尺度下磁性隧道结的优化、制备、表征、探测及相关器件的初步研制

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摘要在非晶氧化铝（Al—O）势垒自旋阀式磁性隧道结（MTJ）和单晶氧化镁MgO（001）势垒赝式自旋阀式磁性隧道结中，室温下其隧穿磁电阻效应（TMR）分别可以达到81％和604％。

出处《中国科技成果》 2012年第12期16-17,共2页 China Science and Technology Achievements

基金国际科技合作计划项目（2010DFA01560）.

关键词磁性隧道结纳米尺度 MGO(001) 优化制备表征器件探测

分类号 O482.5 [理学—固体物理]

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