期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

辉钼半导体材料研究进展分析

下载PDF

导出

摘要辉钼是一种非常有前途的新材料,可以超越硅的物理极限,比传统的硅材料、富勒烯、石墨烯等在纳米电子设备应用方面更具优势,在制造微型晶体管、未来电子芯片、发光二极管、太阳能电池等方面有很大潜力。

作者冯瑞华

机构地区中国科学院武汉文献情报中心中科院图书馆武汉分馆

出处《新材料产业》 2012年第6期21-23,共3页 Advanced Materials Industry

关键词半导体材料钼发光二极管太阳能电池物理极限电子设备电子芯片硅材料

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1智宇,陈昂.(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC半导体材料研究[J].浙江大学学报（自然科学版）,1992,26(5):619-620.
2韦胜钰.OLED显示发展情况及检测标准的进展分析[J].电子产品可靠性与环境试验,2013,31(A01):322-326.
3刘美红.微型晶体管尺寸接近纳米[J].激光与光电子学进展,2003,40(1):60-61.
4赵健.超宽带无线通信技术的研究现状与新进展分析[J].中国新通信,2015,17(14):47-47. 被引量：1
5陈亮,杨奇.5G网络中无线频谱资源分配的进展分析[J].光通信研究,2016(6):68-71. 被引量：25
6张志强,张从武.电信基础设施共建共享总体进展分析和存在问题的解决措施[J].现代电信科技,2010(11):1-5. 被引量：7
7胡国安,张哲,李利平.视频压缩理论及相关技术进展分析[J].长沙通信职业技术学院学报,2008,7(4):10-12. 被引量：1
8马丽娜,郭霞,沈光地.Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究进展[J].半导体光电,2005,26(4):274-279. 被引量：2
9石友康.全球NGN标准进展分析[J].无线电技术与信息,2005(11):21-27.
10石友康.全球NGN标准进展分析[J].通信世界,2005(38A):18-20.

新材料产业

2012年第6期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部