期刊文献+

应用AFM研究单晶硅、锗的超精密车削表面微观形貌 被引量:3

Study on the Ultraprecision Turning Surface Microtopo-graphy of Single Crystal Silicon and Germanium
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 单晶硅、锗的超精密车削表面存在明暗相间的分布特征。本文主要对该现象的产生原因进行了研究,认为车削过程中垂直解理面的切削分力的连续变化是产生这种分布特征的主要因素。 The diamond turning surface of single crystal silicon and germanium appears distribution feature alternate with brightness and darkness. The reason of this phenomenon is studied. Continuous changes of cutting component force perpendicular to cleavage plane are found to be main causes of this phenomenon. The measurement result of machined surface microtopography by AFM is shown to be a good agreement with this viewpoint.
出处 《工具技术》 EI 北大核心 2000年第2期22-25,共4页 Tool Engineering
基金 国家自然科学基金
关键词 超精密车削 单晶硅 单晶锗 AFM 表面形貌 Diamond turning , Single crystal silicon, Single crystal germanium , AFM , Surface microtopograghy
  • 相关文献

参考文献3

  • 1T Nakasuji,S Hara et al. Diamondturning of brittle materials for optical components. Annals of the CIRP,1990,39(1):89~92
  • 2Blackey W S,Scattergood R O. Ductile-regime grinding a new technology formachining brittle materials. ASME Joural of engineering for industry,1991,133:184~189
  • 3史国权,于骏一,蔡永祥,闫继旺,马文生,韩荣久,黄巍.金刚石车削单晶锗和硅[J].长春光学精密机械学院学报,1996,19(1):6-10. 被引量:3

共引文献2

同被引文献22

  • 1Ho K H, Newman S T, Rahimifard S, et al. State of the art in wire dectrical discharge machining (WEDM) [ J]. International Journal of Machine Tools & Manufacture, 2004,44( 12- 13) :1247 - 1259.
  • 2Luo Y F, Chen C G, Tong Z F. Investigation of silicon wafering by wire EDM [ J]. Journal of Materials Science, 1992,27 (21) :5805-5810.
  • 3Kunieda M, Ojima S. Improvement of EDM efficiency of silicon single crystal through ohmic contact[ J]. Precision Engineering (USA), 2000,24(3) :185 - 190.
  • 4Peng W Y, Liao Y S. Study of electrical discharge machining technology for slicing silicon ingots [ J ]. Journal of Materials Processing Technology, 2003,140:274 - 279.
  • 5罗德里克 E H.金属半导体接触[M].北京:科学出版社,1984.
  • 6刘恩科 朱秉升 罗晋生.半导体物理学[M].北京:国防工业出版社,1994..
  • 7Y. F. Luo,C. G. Chen,Z. F. Tong.Investigation of silicon wafering by wire EDM[J]. Journal of Materials Science . 1992 (21)
  • 8邱明波,黄因慧,刘志东,田宗军,汪炜.进电方式对太阳能级硅体电阻影响的基础研究[J].电加工与模具,2008(4):24-28. 被引量:9
  • 9刘世友.锗材料的应用与发展趋势[J].有色金属与稀土应用,1997(4):16-19. 被引量:2
  • 10郑能瑞.锗的应用与市场分析[J].广东微量元素科学,1998,5(2):12-18. 被引量:16

引证文献3

二级引证文献4

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部