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半导体制造工艺中铝金属突起缺陷的研究

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摘要通过对铝金属成膜工艺参数实验和研究发现，提高铝成膜温度、弱化铝的（111）晶向以及增加抗反射层Ti的厚度都可以减少或者避免铝金属突起这种缺陷的发生。

作者雷海波姚亮杨继业季芝慧刘艳平

机构地区上海华虹NEC电子有限公司

出处《集成电路应用》 2012年第1期17-17,共1页 Application of IC

关键词半导体制造工艺铝金属缺陷成膜温度工艺参数反射层晶向

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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