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硅二极管的极限结温与本征温度

Limiting Temperature and Intrinsic Temperature of Si Rectifying Diode
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摘要 本文就P^+N结整流二极管的理论极限结温进行了讨论。指出P^+N结消失的理论极限结温为P^+的本征温度。 In this paper, the writer discusses limiting junction operating temperature of P^+N junction rectifying diode and introduces that limiting temperature upto which P^+N junction dies away is intrinsic temperature of P^+ area.
作者 洪汝渝
出处 《渝州大学学报》 1990年第4期60-63,共4页
关键词 二极管 本征温度 雪崩击穿 击穿 Diode Intrinsic temperature Avalanche breakdown
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