GaAs超薄层腐蚀与非线性光学器件制作

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摘要用液相外延生长与H_2O_2选择腐蚀制备了GaAs—GaAlAs非线性光学器件。研究了H_2SO_4:H_2O_2:H_2O腐蚀液的快速腐蚀和H_2O_2—NH_3·H_2O的GaAs选择腐蚀过程。适宜pH值的H_2O_2腐蚀液对GaAs具有～1μm/小时的腐蚀速度,而对Ga_1-xAlxAs(x≥0.25)不产生腐蚀。分析和讨论了腐蚀过程和速择腐蚀机理。

作者朴友植孙智江杜淑琴张月清

机构地区中国科学院长春物理研究所

出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第5期4-6,共3页 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

关键词非线性光学器件光学非线性超薄层液相外延生长腐蚀过程腐蚀速度腐蚀液表面形貌腐蚀机理半导体激光器

分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]

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