可控硅高能脉冲短路充磁

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摘要一、可控硅高能脉冲短路充磁原理可控硅高能脉冲短路充磁是利用升压整流器对高压脉冲电容进行充电,用可控硅放电而充磁,见图1。从图1知,电源经升压变压器B,高压整流器GD,限流电阻R1到贮能电容Cl,然后Cl上的电能通过可控硅K,电感L1和电感L2到充磁头L变为磁能而实现充磁,图1中r为充磁头内阻。在充磁头电感量L很小的情况下(小于10μH),充磁回路的电流上升率将超过可控硅的允许值。

作者叶有福

机构地区浙江省象山县微特电机厂

出处《仪器仪表与分析监测》 1990年第4期52-53,61,共3页 Instrumentation·Analysis·Monitoring

关键词可控硅高能脉冲短路充磁

分类号 TN34 [电子电信—物理电子学]

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仪器仪表与分析监测

1990年第4期

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