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苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果

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摘要氮化镓（GaN）是一种Ⅲ／V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性，

出处《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期149-149,共1页 New Chemical Materials

关键词光电器件氮化镓第三代半导体材料应用高电子迁移率晶体管利用纳米苏州

分类号 TN15 [电子电信—物理电子学]

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化工新型材料

2011年第10期

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