Si／Si0.64Ge0.36／Si MOSFET沟道技术
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1安森美半导体推出新型低压沟道MOSFET[J].电源技术应用,2005,8(4).
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2Robert J.Mears.通过硅再设计来解决栅泄漏问题[J].集成电路应用,2007,24(5):30-32.
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3赵佶.IR推出坚固可靠的超高速1400 V IGBT[J].半导体信息,2014(2):15-15.
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4SiB457EDK：P沟道功率MOSFET[J].世界电子元器件,2009(10):41-41.
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5具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET[J].今日电子,2010(7):48-48.
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6具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET[J].今日电子,2010(1):65-65.
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7负载点DC／DC稳压器SupIRBuck[J].今日电子,2008(10):78-78.
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8IR推出SupIRBuck稳压器系列新品[J].中国集成电路,2007,16(12):6-6.
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9IR公司推出1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）系列[J].无线电,2011(10):5-5.
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10赵佶.IR新增多款600V节能沟道IGBT[J].半导体信息,2014(3):27-27.
