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微波等离子体化学气相沉积β-C_3N_4超硬膜的研究 被引量:1

Studies of β-C_3N_4 Ultrahard Films Deposited by MPCVD
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摘要 采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),用高纯氮气(99.999% )和甲烷(99.9% )作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4 薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察薄膜形貌表明,薄膜由针状晶体组成。X射线能谱(EDX)分析了这种晶态C-N膜的化学成分。对不同样品不同区域的分析结果表明,N/C比接近于4/3。X射线衍射结构分析说明该膜主要由β-C3N4 和α-C3N4 组成。利用Nano indenter Ⅱ测得C3N4 膜的体弹性模量B达到349 GPa,接近c-BN(367 GPa)的体弹性模量,证明C3N4 化合物是超硬材料家族中的一员。 C 3N 4 thin films have been prepared on Pt substates by microwave plasma chemical vapor deporsition (MPCVD) technique.Gas mixture containing CH 4,N 2 at various ratios was used as the source gas.The investigation of the surface morphologies of the deposited films by SEM and STM indicated that the films were composed of acicular crystals.Energy dispersive X ray(EDX) analysis suggested that N/C ratios of the films can be as high as 1.33.X ray diffraction experiments showed that the films consisted of α C 3N 4 and β C 3N 4.The films showed a high bulk modulus of 349 GPa in Nano indentor hardness tests.
出处 《河北科技大学学报》 CAS 1999年第4期1-4,共4页 Journal of Hebei University of Science and Technology
基金 国家自然科学基金!(19674009)
关键词 微波 等离子体 化学气相沉积法 薄膜 沉积 C 3N 4 MPCVD thin film deposition ultrahard materials
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