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荷电孤子的电子束缚态 被引量:1

ELECTRONIC BOUND STATES OF CHARGED SOLITON
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摘要 现有理论认为聚乙炔中的孤子只具有一个电子束缚态——midgap态。本工作发现,由于电子之间存在相互作用,且高分子链具有分立的原子结构,荷电孤子在能隙中应具有两个电子束缚态:一个是深能级,它离能隙中央0.2eV;一个是浅能级,离带边0.06eV。反式聚乙炔的光致吸收光谱证实了此理论。 The existing theory points out that the soliton in polyacetylene only possess one electronic bound state-the mid gap state. Our work shows that, due to the electron interaction and the discrete atomic structure of polymer chain, the charged solitons have two bound states in the gap; one is a deep level, which is 0.2eV away from the midpoint of the gap; the other is a shallow level 0.06eV apart from the band edges. Our theory agrees with the photo-induced absorption in trans-(CH)_x.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期289-295,共7页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金资助的课题
  • 相关文献

参考文献1

  • 1Wu C,Chin Phys Lett,1985年,2卷,561页

同被引文献1

引证文献1

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