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一种高性能双极工艺带隙基准电压源的设计 被引量:5

Design of a High Performance Bipolar Bandgap Voltage Reference
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摘要 模拟电路一般包含电压基准和电流基准,这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是密切的。产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流。文章提出了一种基于2μm双极工艺设计的高性能的带隙基准参考源。该电路结构简单、性能好。用模拟软件进行仿真,其温度系数为30×10-6/℃、电源抑制比(PSRR)为-56dB、电压拉偏特性为384×10-6/V。 A bandgap reference using 2μm bipolar process is described.It has a simple structureand high performance.Simuluation shows the average temperature coefficient is 30?0-6/℃,PSRR is-56dB at 27℃ and voltage level bias characteristic is 384?0-6/ V.
出处 《电子与封装》 2011年第5期28-30,共3页 Electronics & Packaging
关键词 基准电压 带隙基准 电源抑制比 双极工艺 voltage reference bandgap reference PSRR bipolar
  • 相关文献

参考文献3

  • 1冯勇建,胡洪平.一种低功耗CMOS带隙基准电压源的实现[J].微电子学,2007,37(2):231-233. 被引量:16
  • 2Allen P E.CMOS模拟集成电路设计(第2版)[M].冯军译.北京:电子工业出版社,2005.92-101.
  • 3A. PAUL BROKAW. A Simple Three-Terminal IC Bandgap Reference[J ]. IEEE SOLID-STATECIRCUITS, 1974, 10:388-393.

二级参考文献5

  • 1Widlar R.New developments in IC voltage regulators[J].IEEE Sol Sta Circ,1971,6(1):2-7.
  • 2Allen P E,Holberg D R.CMOS集成电路设计[M].第2版.北京:电子工业出版社,2005.117-130.
  • 3Tsividis Y P,Ulmer R W.A CMOS voltage reference[J].IEEE Sol Sta Circ,1978,13(6):774-778.
  • 4Tzanateas G,Salama C A T,Tsividis Y P.A CMOS bandgap voltage reference[J].IEEE Sol Sta Circ,1979,14(3):655-657.
  • 5Kujik K E.A precision reference voltage source[J].IEEE Sol Sta Circ,1973,8(6):222-226.

共引文献16

同被引文献51

引证文献5

二级引证文献18

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