日本NIMS开发世界性能最高的薄膜电容器

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摘要日本物质材料研究机构（NIMS）开发出厚度在分子水平（1．5nm）的新型高介电薄片，并利用纳米技术试制成功世界性能最高的薄膜电容器元件。

作者杨晓婵（摘译）

出处《现代材料动态》 2011年第2期8-9,共2页 Information of Advanced Materials

关键词日本物质材料研究机构薄膜电容器 NIMS 性能世界开发电容器元件分子水平

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现代材料动态

2011年第2期

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