Ta场发射特性的实验研究

下载PDF

导出

摘要本文报道了钽(Ta)场发射尖端的制作方法和场发射特性的实验结果。并与单晶钨(W〔111〕)比较,发现Ta的场发射特性不仅与W〔111〕很相似,而且还别具自己特点。特别是能在6.6×10^(-8)帕(5×10^(-8)托)较低真空下稳定的工作。表明Ta可望成为一种较理想的场发射材料,具有广泛应用和开发前景。

作者杨德清王勇陈尔纲

机构地区云南大学物理系

出处《微细加工技术》 1990年第4期14-17,共4页 Microfabrication Technology

关键词 TA 发射材料电子枪场发射

分类号 TN104.1 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1卓玛才让.有关真空微电子学的研究及相关应用[J].读写算（教育教学研究）,2011(44):41-41.
2李淑逸.一种新颖电子发射材料[J].半导体技术,1992,8(2):50-51.
3刘敏,雷威,张晓兵,王保平.真空微电子学的研究和进展[J].电子器件,2003,26(4):428-433. 被引量：2
4洪自若,张玲,梁春军,臧法欣,李文连.Eu(DBM)_3bath配合物高效EL器件工作机理研究[J].量子电子学报,2001,18(B12):76-79.
5王尔镇.高效长寿命冷阴极荧光灯[J].光源与照明,2003(2):7-10. 被引量：1
6基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器[J].炭素,2005(2):12-12.
7严增濯.制造微通道板的简易方法[J].光电技术,2005,46(4):34-38.
8吉世彧.宽温区内W的导热系数随温度变化的关系研究[J].昆明师范高等专科学校学报,2001,23(4):77-78.
9李艳霞,范希梅,周祚万.氧化锌低维结构材料场发射性能研究进展[J].材料导报,2007,21(3):13-16. 被引量：3
10张秀玲,王文江,张劲涛,吴胜利.基于离子交换技术的表面传导电子发射源制备[J].真空科学与技术学报,2010,30(6):577-581. 被引量：4

微细加工技术

1990年第4期

浏览历史

内容加载中请稍等...

Ta场发射特性的实验研究

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史