金刚石的反应离子蚀刻

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摘要去除金刚石表面层的可靠方法,对于微电子学及诸如金刚石表面抛光处理等应用领域来说都是极其重要的。我们的初步研究结果是,用O_2和H_2的反应离子蚀刻,可使碳薄膜的蚀刻速率达560(?)/min左右;用300eV氧离子进行天然Ⅱ—A型金刚石蚀刻可获得350(?)/min的蚀刻速率。此外,对反应室内的氧加入一定百分比的Ar并不影响蚀刻速率。

作者 G.S.Sandhu w.k.Chu 钟煌煌

出处《微细加工技术》 1990年第2期113-114,共2页 Microfabrication Technology

关键词金刚石反应离子蚀刻

分类号 TN304.18 [电子电信—物理电子学]

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