摘要
本文报道了我们研制的一种具有较高电流增益的含氢非晶硅(α-Si:H)发射区异质结双极晶体管(HBT),对其进行了理论分析和实验研究;并提出了其电流增益的低温模型.研究结果表明:(1)该器件的电流增益与常规双极晶体管一样;(2)电流增益的温度系数为正值,其值小于常规双极晶体管.
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1990年第7期44-46,共3页
Microelectronics & Computer
基金
国家自然科学基金
关键词
非晶硅
发射区
晶体管
低温特性
Current Gain
Low Temperature
Heterojunction
Amorphous Emitter
