摘要
在 Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 中掺进 Ｉｎ２ Ｏ３ 和 Ｆｅ２ Ｏ３ 用恰克拉斯基（ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法生长 Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体。测试表明， Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体抗光致散射能力高， 响应速度快， 存储保存时间长。研究了 Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体全息存储性能的机理， 测得的衍射效率最大值为 ７３％ 。
The Inv Fev Li Nb O3 crystal has been grow n by doping In2 O3 and Fe2 O3 into Li N b O3 . The m easurem ent results show that, the Inv Fev Li Nb O3 crystal has high light scatter ing resistance, high response speed and long storage conservative tim e. The m echanism ofthis crystal behaving holographic storage properties is discussed. The m axim um value of thediffraction efficiency m easured is 73% .
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第8期1070-1073,共4页
Acta Optica Sinica
基金
国家科委863 高技术资助项目
关键词
晶体
全息存储性能
衍射效率
光折变晶体
铌酸锂
In v Fev Li Nb O3 crystal, holographic storage properties, diffraction efficien cy.
