双束合成低能离子束外延设备的研制
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1任治璋,王向明,姚振钰,刘志剀,秦复光.低能离子束在薄膜淀积中的应用[J].微细加工技术,1991(1):43-45.
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2李慧,马辉,丁维清,秦复光.Si(111)衬底上IBE法外延生长β-FeSi_2薄膜的研究[J].Journal of Semiconductors,1997,18(4):264-268. 被引量：8
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3翟文生.低能离子束成结制作10．6μm碲镉汞光伏探测器[J].红外与激光技术,1995,24(1):39-42. 被引量：1
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4刘力锋,陈诺夫,张富强,陈晨龙,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜[J].稀有金属,2004,28(3):558-562. 被引量：2
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5姜冲,崔保群,马瑞刚,李立强,马鹰俊,唐兵,陈立华,邓金亭,蒋渭生,王荣文.低能离子束加减速实验研究[J].中国原子能科学研究院年报,2007(1):180-181.
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6刘力锋,陈诺夫,张富强,陈晨龙,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体[J].Journal of Semiconductors,2004,25(8):967-971. 被引量：2
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7许强,杨体强,梁运章.低能离子束用于生物品种改良的研究进展[J].种子,2005,24(11):34-38. 被引量：8
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8李永亮,秦广雍,霍裕平.低能离子束生物诱变实验中统计学分析问题评述[J].核农学报,2008,22(4):451-454.
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9刘力锋,陈诺夫,张富强,陈晨龙,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜[J].功能材料,2004,35(4):429-431. 被引量：2
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10刘力锋,陈诺夫,柴春林,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备Mn-Si薄膜[J].Journal of Semiconductors,2005,26(z1):94-97.
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