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铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析 被引量：1

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摘要 采用铝诱导结晶法在玻璃衬底上制备了具有高度(111)择优取向的多晶硅薄膜.首先通过磁控溅射在玻璃衬底上先后沉积铝层和非晶硅层,然后在480℃下退火1h以完成铝诱导结晶.退火后硅层与铝层发生置换,形成了具有高度(111)择优取向以及良好结晶质量的多晶硅层.通过对Al2O3氧化膜结构变化及晶格匹配进行分析,阐明了铝诱导结晶过程中(111)择优取向的铝层间接促使多晶硅(111)择优取向成核的作用机制.
作者 黄添懋 陈诺夫 张兴旺 白一鸣 尹志岗 施辉伟 张汉 汪宇 王彦硕 杨晓丽
机构地区 中国科学院半导体研究所 华北电力大学可再生能源学院 浙江大学硅材料国家重点实验室
出处 《中国科学：技术科学》 EI CSCD 北大核心 2010年第11期1378-1382,共5页 Scientia Sinica(Technologica)
基金 国家重点基础研究发展计划("973"计划)(批准号:2010CB933803) 北京市自然科学基金(批准号:2102042) 浙江大学硅材料国家重点实验室访问学者基金(批准号:SKL2009-12)资助
关键词 多晶硅薄膜 铝诱导结晶 (111)择优取向
分类号 TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
  • 相关文献

参考文献21

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二级参考文献1

共引文献1

同被引文献1

引证文献1

二级引证文献3

中国科学：技术科学
2010年 第11期

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