300mm/0.18μm工艺及设备

300mm/018m Technology and Equipment

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摘要介绍了３００ｍｍ／０．１８μｍ主要工艺及设备，包括光刻、栅极氧化、电容绝缘和布线。 The main technologies and equipments with 300mm/018m,which including lithography,gate oxidation,capacitance insulation and the wiring,are introduced.

作者翁寿松

机构地区无锡市无线电元件四厂

出处《半导体情报》 1999年第3期25-29,共5页 Semiconductor Information

关键词工艺设备半导体制造工艺 DRAM TechnologyEquipment

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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参考文献4

1张世恩,童志义.我国半导体设备现状及发展建议(续)[J].电子工业专用设备,1998,27(2):6-15. 被引量：2
2羽南.摩尔定律还能风光多少年?[J].电子产品世界,1999,6(1):16-16. 被引量：4
3童志义.摩尔定律向2010年延伸-对英特尔公司创始人戈登·摩尔的专访[J].电子工业专用设备,1998,(3):50-50.
4佐藤修三,万力,何宝光.HV-9000型精密平坦化装置[J].电子工业专用设备,1998,27(3):60-64. 被引量：2

共引文献4

1翁寿松.φ300mm/0.18μm的光刻工艺及设备[J].电子工业专用设备,1999,28(1):1-5. 被引量：2
2翁寿松.今年与明年的世界半导体设备市场[J].半导体杂志,1999,24(3):35-39.
3翁寿松.ITRS 2001与芯片特征尺寸的缩小[J].微纳电子技术,2002,39(11):1-4. 被引量：11
4翁寿松.摩尔定律与半导体设备(续前)[J].电子工业专用设备,2003,32(1):35-37. 被引量：2

1甘学温,林毅竞.数字化和数字电路[J].世界产品与技术,2000(9):14-16.
2秦人.DRAM向手机问出路[J].中国电子商情（元器件市场）,2001(9):38-38.
3孟宪元.FPGA的DSP应用[J].电子产品世界,1998,5(7):45-45. 被引量：1
4半导体制造工艺与芯片功耗[J].个人电脑,2004,10(5):214-214.
5翁寿松.φ300mm/0.18μm的光刻工艺及设备[J].电子工业专用设备,1999,28(1):1-5. 被引量：2
6A. Alexeev,A. Filaretov,V. Chaly,Yu. Pogorelsky.新一代STE分子束外延系统(英文)[J].电子工业专用设备,2010(2):35-38.
7智能手机全球热卖，半导体与DRAM产值同步创史上新高[J].中国集成电路,2014,23(9):9-10.
8针对移动应用的75nm 512Mb低功耗DRAM[J].今日电子,2007(10):78-79.
9全今.创意科技总动员[J].无线电,2012(12):40-41.
10晶体管的60周年华诞[J].微电脑世界,2008(1):19-19.

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